YZPST-BTA204X-800E

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

4

A

VDRM   / VRRM

≥800

V

ITSM

25

A

Symbol

Parameter

Value

Unit

IT (RMS)

Rms on-state current(full sine wave)

4

A

 ITSM

Non- repetitive Peak on-state

Current (Tj=25℃,tp=20ms)

 25

 A

I2t

I2t    for fusing(tp=10ms)

3.1

A2S

IGM

Peak gate current

2

A

VGM

Peak gate voltage

5

V

PGM

Peak gate power

5

W

PG(AV)

Average gate power

0.5

W

 di/dt

Repetitive rate of rise of on-state current after triggering

(IT=6A,IG=0.2A,dlG/dt=0.2A/us)

 100

 A/μs

Tstg

Tj

Storage temperature

Operating junction temperature

-40--+150

-40--+110

℃

Symbol

Parameter

Condition

Min

Type

Max

Unit

Rth j-mb

Thermal Resistance, Junction to mb

One cycle Half cycle

——

——

——

——

3.0

3.7

K/W

K/W

 Rth j-a

Thermal

Resisatance,Junction to ambient

 in free air

 ——

 60

 ——

 K/W

Symbol

Conditions

Min

Type

Max

Unit

BT204-

VD=12V    IT=0.1A T2+ G+

T2+ G-

35

mA

IGT

T2- G-

——

35

mA

——

35

mA

——

IH

VD=12V IGT=0.1A

2

12

mA

IL

IG=2×IGT

Ⅰ-Ⅲ

6

mA

Ⅱ

9

VTM

IT=8A

——

1.25

1.7

V

IDRM

V DRM=600V

10

μA

IRRM

VRRM=600V

10

μA

VD=12V    IT=0.1A

0.7

1.65

V

VGT

VD=400V IT=0.1A

0.25

0.4

1.5

V

Tj=125℃

VD=VDRM（MAX）

mA

ID

Tj=125℃

——

0.1

0.5

Symbol

Conditions

Min

Type

Max

Unit

 dVD/dt

VDM=67%VDm（MAX）

Tj=125℃

 30

 V/μs

 tgt

ITm=12A    VD=VDRM（MAX）

IG=0.1A dlG/dt=5A/ms

 2

 ——

μs